免费下载书籍地址：PDF下载地址
精美图片
图解入门(半导体制造工艺基础精讲原书第4版)书籍详细信息
- ISBN：9787111702344
- 作者：暂无作者
- 出版社：暂无出版社
- 出版时间：2022-03
- 页数：208
- 价格：68.81
- 纸张：胶版纸
- 装帧：平装-胶订
- 开本：16开
- 语言：未知
- 丛书：暂无丛书
- TAG：暂无
- 豆瓣评分：暂无豆瓣评分
内容简介：
《图解入门——半导体制造工艺基础精讲（原书第4版）》以图解的方式深入浅出地讲述了半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为12章，包括半导体制造工艺全貌、前段制程概述、清洗和干燥湿法工艺、离子注入和热处理工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、成膜工艺、平坦化 （CMP）工艺、CMOS工艺流程、后段制程工艺概述、后段制程的趋势、半导体工艺的*新动向。
本书适合与半导体业务相关的人士、准备涉足半导体领域的人士、对半导体制造工艺感兴趣的职场人士和学生等阅读参考。
书籍目录：
前言
第1章 半导体制造工艺全貌
1-1半导体工艺简介
各种半导体产品
为什么称为半导体工艺？
1-2前段制程和后段制程的区别
前段制程和后段制程的 区别
晶圆厂的差异
1-3循环型的前段制程半导体工艺
什么是循环型工艺？
几种基本的组合
1-4前端工艺和后端工艺
为何要分前端工艺和后端工艺？
温度耐受的差异
1-5什么是硅晶圆？
为什么是硅？
半导体的特性是什么？
1-6硅晶圆是如何制造的？
作为原料的多晶硅的纯度是11个9
缓慢拉起的单晶硅
1-7硅的特性是什么？
硅的同类有哪些？
硅的特点
1-8硅晶圆所需的洁净度
硅晶圆和颗粒
其他污染
1-9硅晶圆在fab中的使用方法
硅晶圆的实际应用
不只用于产品制造的晶圆的使用方法
防止生产线中的相互污染
1-10晶圆的大直径化
为什么要大直径化？
从200mm至 300mm
1-11与产品化相关的后段制程
包装为什么是黑色的？
封装的趋势
1-12后段制程使用的工艺是什么?
后段制程的流程
后段制程工厂是什么样的？
第2章 前段制程概述
2-1追求微细化的前段制程工艺
摩尔定律
微细化是如何发展起来的？
2-2批量制造芯片的前段制程
批量生产的优点
与 LCD 面板的比较
2-3在没有“等待”的工艺中进行必要的检查和监控
半导体工艺 的思路
监控的必要性
2-4前段制程fab的全貌
什么是洁净室？
工厂需要哪些设备？
2-5fab的生产线构成——什么是Bay方式？
为什么选择Bay方式？
实际生产线的运行
2-6晶圆厂需要尽早提升良品率
为什么要尽早启动？
如何提高初期成品率？
第3章 清洗和干燥湿法工艺
3-1始终保持洁净的清洗工艺
为什么每次都需要清洗？
仅对表面进行清洗处理是不够的
3-2清洗方法和机理
清洗方法
什么是超声波清洗？
3-3基础清洗——RCA清洗
什么是RCA清洗？
RCA清洗的挑战
3-4新清洗方法的例子
新的清洗方法
未来的清洗方法
3-5批量式和单片式之间的区别
什么是批量式？
什么是单片式？
3-6吞吐量至关重要的清洗工艺
清洗设备的吞吐量
无载具清洗机
3-7清洗后 的干燥工艺
什么是水渍？
干燥方法
3-8新的干燥工艺
什么是马兰戈尼干燥？
什么是罗塔戈尼干燥？
3-9湿法工艺和干法清洗
为什么是湿法工艺？
干法清洗的尝试
第4章 离子注入和热处理工艺
4-1注入杂质的离子注入技术
离子注入技术之前
什么是离子注入？
4-2需要高真空的离子注入工艺
什么是离子注入机？
离子束扫描是什么样子的？
4-3用于不同目的的离子注入工艺
各式各样的扩散层
具有不同加速能量和束电流的离子注入工艺
4-4离子注入后的晶格恢复处理
什么是硅晶格？
杂质原子的作用
4-5各种热处理工艺
恢复晶格的方法
用什么方法进行热处理？
4-6 的激光退火工艺
什么是激光退火设备？
激光退火和RTA之间的区别是什么？
4-7LSI制造和热预算
什么是杂质的分布曲线？
半导体材料的耐热性和热预算
第5章 光刻工艺
5-1复制图形的光刻工艺
什么是光刻工艺？
光刻工艺流程
光刻是减法工艺
5-2光刻工艺的本质就是照相
与日光照相相同的接触式曝光
缩小投影的好处
5-3推动微细化的曝光技术的演变
分辨率和焦深
光源和曝光设备的历史
5-4掩膜版和防尘薄膜
什么是掩膜版？
什么是防尘薄膜？
套刻
5-5相当于相纸的光刻胶
光刻胶种类
感光机理
什么是化学放大光刻胶？
5-6涂布光刻胶膜的涂胶机
光刻胶涂布工艺
光刻胶涂布的实际情况
5-7曝光后必需的显影工艺
显影机理
实际的显影工艺和设备
5-8去除不要的光刻胶灰化工艺
灰化工艺的机理
灰化工艺和设备
5-9浸液曝光技术现状
为什么要使用浸液？
浸液式曝光技术的原理与问题
5-10什么是双重图形？
浸液的极限是什么？
多种方法的双重图形技术
5-11追求进一步微细化的EUV 技术
什么是 EUV曝光技术？
EUV 技术的挑战与展望
5-12纳米压印技术
什么是纳米压印技术？
与光刻的比较
纳米压印分类
纳米压印的可能性
第6章 刻蚀工艺
6-1刻蚀工艺流程和刻蚀偏差
刻蚀工艺流程是什么？
刻蚀偏差是什么？
6-2方法多样的刻蚀工艺
适应各种材料
适应各种形状
6-3刻蚀工艺中不可或缺的等离子体
等离子体生成机理
离子体电势
6-4RF（射频）施加方式有什么不同？
什么是干法刻蚀设备？
阴极耦合的优点
6-5各向异性的机理
什么是刻蚀反应？
利用侧壁保护效果
6-6干法刻蚀工艺的挑战
针对新材料的刻蚀工艺
什么是深槽刻蚀？
第7章 成膜工艺
7-1LSI功能不可或缺的成膜工艺
LSI和成膜
LSI 剖面所看到的薄膜形成示例
7-2方法多样的成膜工艺
各种成膜方法
成膜的参数
7-3受基底形状影响的成膜工艺
适应什么样的形状？
成膜机理
7-4直接氧化晶圆的氧化工艺
为什么是氧化硅膜？
硅热氧化机理
7-5热CVD和等离子体CVD
热CVD工艺的机理
什么是等离子CVD法？
7-6金属膜所需要的溅射工艺
溅射的原理
溅射方法的优点和缺点
7-7Cu（铜）布线不可缺少的电镀工艺
为什么要使用电镀法？
电镀工艺的挑战
7-8Low-k（低介电常数）膜所使用的涂布工艺
为什么要使用涂布工艺？
涂布工艺的挑战
7-9High-k栅极堆叠工艺
栅极材料的历史
High-k栅极堆叠技术
ALD工艺基础
7-10CuLow-k工艺
为什么使用CuLow-k？
从成膜的角度来看，CuLow-k的挑战
第8章 平坦化（CMP）工艺
8-1多层布线不可或缺的CMP工艺
为什么使用CMP工艺？
到CMP为止的工艺流程
8-2采用 光刻技术的CMP工艺
拯救焦深下降的CMP
需要 CMP的工序
8-3回归湿法工艺的CMP设备
CMP设备是什么样的?
与其他半导体工艺设备相比的CMP设备
8-4消耗品多的CMP工艺
有什么样的消耗品?
需要的性质是什么
8-5CMP的平坦化机理
普雷斯顿公式
实际的CMP机理
8-6应用于CuLow-k的CMP工艺
双大马士革技术的背景
双大马士革的流程是什么？
8-7课题堆积如山的CMP工艺
CMP的缺陷是什么？
CMP的图形（Pattern）依赖性
第9章 CMOS工艺流程
9-1什么是CMOS？
CMOS的必要性
CMOS的基本结构
9-2CMOS的效果
什么是反相器？
CMOS反相器的工作原理
9-3CMOS结构制造（之一）器件间隔离区域
什么是器件间隔离？
从LOCOS到 STI
实际的流程是什么？
间隙填充的沉积技术
9-4CMOS结构制造（之二）阱形成
什么是阱？
实际的流程是什么样？
9-5晶体管形成（之一）栅极形成
什么是栅极？
自对准工艺
实际的流程是什么样？
9-6晶体管形成（之二）源极漏极
什么是源极和漏极？
实际流程是什么样？
9-7电极形成（钨塞形成）
什么是钨塞？
实际流程是什么样？
被称为循环型的原因
9-8后端工艺
为什么需要多层布线？
多层布线的实际情况
0章 后段制程工艺概述
10-1去除不良品的晶圆测试
淘汰不良品的意义是什么?
什么是晶圆测试？
10-2使晶圆变薄的减薄工艺
减薄的意义是什么?
减薄工艺是什么？
10-3切割出芯片的划片
如何切割晶圆？
半切割和全切割
10-4粘贴芯片
什么是贴片？
贴片方法
10-5电气连接的引线键合
与引线框架的连接
引线键合的机理
10-6封装芯片的注塑
注塑工艺的流程
树脂注入和固化
10-7产品的打标和引线成形
什么是打标？
什么是引线成形？
10-8 终检验流程
后段制程的检验流程是什么？
什么是老化系统？
终检查
1章 后段制程的趋势
11-1连接时没有引线的无引线键合
什么是 TAB？
什么是 FCB？
11-2无须引线框架的 BGA
没有引线框架的意义是什么？
什么是植球？
11-3旨在实现多功能的 SiP
什么是 SiP？
从封装技术来看 SiP
11-4真实芯片尺寸的晶圆级封装
什么是晶圆级封装？
晶圆级封装的流程
OSAT 是什么？后段制程fab的趋势
2章 半导体工艺的 动向
12-1路线图和“路线图外”
什么是半导体技术路线图？
那段历史如何？
一味微细化的休止符
什么是“路线图外”？
12-2站在十字路口的半导体工艺微细化
硅的微细化极限
各种路线的梳理
什么是技术助推器？
从其他的视角看
12-3More Moore所必需的NGL
微细化的极限
该级别的光刻胶形状是什么样？
NGL的候选技术是哪一个？
双重图形的定位
延长寿命的策略
其他候选
12-4EUV技术趋势
EUV设备上的巨大差异
光刻胶工艺是什么？
未来的发展是什么？
12-5450mm晶圆趋势
晶圆大口径化的历史
晶圆450mm化的来历
实际的障碍
硅晶片的世代交替
12-6半导体晶圆厂的多样化
晶圆厂的终点站
旧生产线向More than Moore的转向
晶圆厂未来的课题
12-7贯通芯片的 TSV（Through Silicon Via）
深槽刻蚀的必要性
实际的TSV流程
12-8对抗More Moore的三维封装
三维封装的流程
从Scaling规则看三维封装
什么是Chiplet？
作者介绍：
佐藤淳一京都大学工学研究生院硕士。1978年，加入东京电气化学工业股份有限公司（现TDK）；1982年，加入索尼股份有限公司。一直从事半导体和薄膜设备，以及工艺技术的研发工作。期间，在半导体 技术（Selete）创立之时被借调，担任长崎大学工学部兼职讲师、半导体行业委员会委员。
著有书籍《CVD手册》《图解入门——半导体制造设备基础与构造精讲（原书第3版）》《图解入门——功率半导体基础与机制精讲（原书第2版）》《图解入门——半导体制造工艺基础精讲（原书第4版）》
出版社信息：
暂无出版社相关信息，正在全力查找中！
书籍摘录：
暂无相关书籍摘录，正在全力查找中！
在线阅读/听书/购买/PDF下载地址：
在线阅读地址：图解入门(半导体制造工艺基础精讲原书第4版)在线阅读
在线听书地址：图解入门(半导体制造工艺基础精讲原书第4版)在线收听
在线购买地址：图解入门(半导体制造工艺基础精讲原书第4版)在线购买
原文赏析：
暂无原文赏析，正在全力查找中！
其它内容：
暂无其它内容！
书籍真实打分
故事情节：9分
人物塑造：5分
主题深度：4分
文字风格：9分
语言运用：4分
文笔流畅：7分
思想传递：9分
知识深度：4分
知识广度：3分
实用性：8分
章节划分：3分
结构布局：3分
新颖与独特：5分
情感共鸣：8分
引人入胜：8分
现实相关：6分
沉浸感：3分
事实准确性：8分
文化贡献：7分
网站评分
书籍多样性：8分
书籍信息完全性：6分
网站更新速度：7分
使用便利性：3分
书籍清晰度：9分
书籍格式兼容性：8分
是否包含广告：3分
加载速度：3分
安全性：4分
稳定性：8分
搜索功能：6分
下载便捷性：7分
下载点评
- 博大精深(69+)
- 超值(481+)
- 在线转格式(585+)
- 不亏(122+)
- 微信读书(206+)
- 一星好评(278+)
- 内涵好书(608+)
- 服务好(615+)
下载评价
网友 相***儿：你要的这里都能找到哦！！！
网友 曹***雯：为什么许多书都找不到？
网友 宓***莉：不仅速度快，而且内容无盗版痕迹。
网友 养***秋：我是新来的考古学家
网友 饶***丽：下载方式特简单，一直点就好了。
网友 菱***兰：特好。有好多书
网友 康***溪：强烈推荐！！！
网友 堵***洁：好用，支持
网友 訾***晴：挺好的，书籍丰富
网友 谢***灵：推荐，啥格式都有
网友 冉***兮：如果满分一百分，我愿意给你99分，剩下一分怕你骄傲
网友 辛***玮：页面不错 整体风格喜欢
网友 益***琴：好书都要花钱，如果要学习，建议买实体书；如果只是娱乐，看看这个网站，对你来说，是很好的选择。